参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SPD50P03L G
说明	功率MOSFET   6.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	319 [库存更新时间：2025-12-05]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6880pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
漏源极电压Vds	30V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	126nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	50A
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.7mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	-126nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	150W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	OptiMOSP
FET类型	P-Channel
宽度	6.22mm
正向跨导 - 最小值	47S
下降时间	104ns
上升时间	21.7ns
典型关闭延迟时间	139ns
典型接通延迟时间	14.8ns